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Crochet skirt pattern

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 15h
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Características Básicas Do Transistor Mosfet 18N60 Tipo: Canal-N Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 400mΩ Corrente contínua Dreno: 18 A Carga Total da Gate: 50 nC Dissipação de energia: 360 W Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C Encapsulamento: TO-247 Para mais informações, datasheet completo, substituição e equivalência de transistores... Visite-nos! 😊
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